8英寸碳化硅設(shè)備-碳化硅設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售企業(yè)-蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司

電阻法大尺寸SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備

UK-T6

UK-T8

6吋電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備UK-T6

1、完美解決了感應(yīng)爐徑向溫度梯度大的技術(shù)難點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控，晶體內(nèi)部缺陷少，良率高、重復(fù)性好；

2、與傳統(tǒng)工藝長(zhǎng)達(dá)7-14天的晶體生長(zhǎng)周期相比，UKING ERH SiC RV4.0設(shè)備晶體生長(zhǎng)速度更快，整個(gè)過(guò)程可控制在7天之內(nèi)；

3、自動(dòng)化程度高，操控簡(jiǎn)單，有利于批量生產(chǎn)，提高晶體生長(zhǎng)效率和穩(wěn)定性。

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8吋電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備UK-T8

1、完美解決了感應(yīng)爐徑向溫度梯度大的技術(shù)難點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控，晶體內(nèi)部缺陷少，良率高、重復(fù)性好；

2、與傳統(tǒng)工藝長(zhǎng)達(dá)7-14天的晶體生長(zhǎng)周期相比，UKING ERH SiC RV1.0設(shè)備晶體生長(zhǎng)速度更快，整個(gè)過(guò)程可控制在7天之內(nèi)；

3、自動(dòng)化程度高，操控簡(jiǎn)單，有利于批量生產(chǎn)，提高晶體生長(zhǎng)效率和穩(wěn)定性。

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溫度梯度控制優(yōu)勢(shì)

優(yōu)晶科技憑借多年的工藝技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，精準(zhǔn)控制熱場(chǎng)溫度，確保晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中獲得最佳溫度梯度，提高了晶體的生長(zhǎng)效率，還顯著降低了生產(chǎn)成本。
籽晶粘接優(yōu)勢(shì)

公司獨(dú)特的籽晶處理技術(shù)，減少了籽晶裝配過(guò)程中人為因素對(duì)粘接的影響，提高粘接的成功率，解決了晶體生長(zhǎng)過(guò)程中籽晶燒穿等問(wèn)題。
綜合成本優(yōu)勢(shì)

公司研發(fā)的電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備配合晶體生長(zhǎng)工藝，在確保品質(zhì)的前提下，原材料利用率高，提升晶體厚度。

優(yōu)晶的解決方案

UKING SOLUTIONS

發(fā)熱部件

石墨加熱器
熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)

PVT石墨熱場(chǎng)
溫度梯度

容易調(diào)節(jié)
晶體生長(zhǎng)界面

接近平面
晶體利用率

高
晶體應(yīng)力

應(yīng)力較低
易加工
提高下游制程良率
6-8寸晶體生長(zhǎng)

兼容
單位晶片成本

低

電阻法大尺寸SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備產(chǎn)品

6吋碳化硅晶體

8吋碳化硅晶體

6吋碳化硅晶體

碳化硅作為全球先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速度和高鍵合能等特性，碳化硅功率器件在耐高壓、高頻、高溫以及大功率應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。

8吋碳化硅晶體

碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程

碳化硅晶體材料是種由碳和硅元素組成的寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，其生產(chǎn)條件需要在2250°C以上的高溫和接近真空的低壓環(huán)境下，使固態(tài)原料升華，并在高溫和濃度梯度的作用下，持續(xù)將碳、硅原子傳輸至位于石墨坩堝頂端的籽晶附近，進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。

碳化硅顆粒

Si+C=SiC

在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，碳化硅（SiC）原料的粒度和純度都會(huì)直接影響晶體質(zhì)量。

籽晶處理

獨(dú)特的籽晶粘接技術(shù)

為籽晶粘接是晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。為了獲得高品質(zhì)的晶體，公司采用獨(dú)特籽晶處理工藝，滿足高質(zhì)量晶體生長(zhǎng)要求。

Uking電阻法

SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)

在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，通過(guò)精準(zhǔn)控制熱場(chǎng)溫度和氣氛來(lái)保證晶體生長(zhǎng)的可靠性和穩(wěn)定性。

碳化硅晶體檢測(cè)報(bào)告

采用UKING電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備生長(zhǎng)的SiC晶體，其微管密度、位錯(cuò)密度和電阻率等指標(biāo)均達(dá)到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。